FDMS86202ET120
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onsemi FDMS86202ET120
| Artikelnummer: | FDMS86202ET120 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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| 1+ | $6.37 |
| 10+ | $5.719 |
| 100+ | $4.6861 |
| 500+ | $3.9892 |
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»
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-
onsemi FDMS86202ET120 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDMS86202ET120.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) Serie PowerTrench® Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 13.5A, 10V Verlustleistung (max) 3.3W (Ta), 187W (Tc) Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4585 pF @ 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 120 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13.5A (Ta), 102A (Tc) Grundproduktnummer FDMS86202 FDMS86202ET120 Einzelheiten PDF [English] FDMS86202ET120 PDF - EN.pdf -
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